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半導体材料の合成
毛利グループでは原子層材料(Graphene, TMDC)、high-k材料、酸化物材料、窒化物材料の合成を行っています。
CVD装置
ミストCVD
RF-MBE
CVD装置
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原子層材料の合成(CVD,Mist-CVD)
毛利グループは現在1テーマでグラフェンの合成、 3テーマでMoS₂の合成を行っています。
・窒化物半導体上へグラフェンの直接成長
・加工基板上へMoS₂の合成
・モアレ超格子の性質を用いたMoS₂の合成
・high-k材料上へのMoS₂の合成
原子層材料を用いた半導体材料の合成(MBE, Mist-CVD)
毛利グループではグラフェンなどの原子層材料を 用いて窒化物材料、酸化物材料、high-k材料の合成をしています。
・MBE法による剝離可能な窒化物材料の合成
・リモートエピタキシーによる剥離可能な酸化物材料の合成
・ミストCVD法によるhigh-k酸化物の合成
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